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序言：先进存储与半导体器件专题
客座主编：赵毅
2025, 31(5): 333-333.
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SiGe沟道器件中高k介质/SiGe界面钝化技术研究进展与挑战
林毅然, 李忠贤
2025, 31(5): 334-342. DOI: 10.20027/j.gncq.2025.0045
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SiGe沟道CMOS器件可靠性研究进展与挑战
黄郭启昕, 曲益明, 李忠贤
2025, 31(5): 343-351. DOI: 10.20027/j.gncq.2025.0043
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纳米尺度Si/Ge/SiGe基器件中的弹道输运
李建国, 李忠贤
2025, 31(5): 352-363. DOI: 10.20027/j.gncq.2025.0044
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面向视觉目标检测的脉冲神经网络综述：从生物机制到前沿应用
仵赛飞, 张渊, 谢迪, 俞海, 朱江
2025, 31(5): 364-378. DOI: 10.20027/j.gncq.2025.0046
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基于异构集成的MRAM设计及应用
赵国强, 赵毅
2025, 31(5): 379-386. DOI: 10.20027/j.gncq.2025.0048
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磁存储器的翻转机理及先进电学表征研究进展
马小倩, 高世凡, 曲益明
2025, 31(5): 387-396. DOI: 10.20027/j.gncq.2025.0049
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STT-MRAM器件自热效应的研究进展与应用挑战
蓝樟生, 朱赛克, 高世凡, 曲益明
2025, 31(5): 397-404. DOI: 10.20027/j.gncq.2025.0050
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面向高精度推理的PLRAM存算一体化芯片设计与实现
朱赛克, 金健孜, 鲁辞莽
2025, 31(5): 405-410. DOI: 10.20027/j.gncq.2025.0047
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基于背栅调控的高性能Si0.73Ge0.27-OI pMOSFET输运特性研究
陈正阳, 李忠贤, 曲益明
2025, 31(5): 411-416. DOI: 10.20027/j.gncq.2025.0051
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高温预处理对磁性隧道结晶化过程中缺陷与磁性能损伤的抑制
商启香, 陈辉, 邵云亮, 吴云, 孟凡涛, 孙一慧
2025, 31(5): 417-422. DOI: 10.20027/j.gncq.2025.0042
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